对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。
此外，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。
采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。
在使用电子照相方法的打印技术中，已经渐进实现高速打印操作、高质量图像形成、彩色像形成、以及成像装置小型化，并且变得很普遍。色粉一直是这些改进的关键。为满足上述需要，必须形成精细分配的色粉颗粒，使得色粉颗粒的直径均一，并且使得色粉颗粒呈球形。至于形成精细分配的色粉颗粒的技术，近已经开发出直径不超过10nm的色粉和不超过5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技术，已经开发出球形度99%以上的色粉。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。
由于具有独特的物理化学性能，当代科学技术的飞速发展，将会越来越多的应用于国民经济中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微电子技术等高科技领域及石油化工、化学工业、汽车尾气净化等与人类生活息息相关的领域，并在众多的应用领域中起着关键的的作用，因此被誉为“首要高技术金属”、“现代工业的维生素”“现代新金属”，发达的国家长期以来一直把视为“战略性物质”。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0。
溅射靶材ITO靶材的生产工艺ITO靶材的生产工艺可以分为3种：热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下：
热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，但设备投入高，生产成本高，产品的缺氧率高。王水在溶解了贵金属的溶液中有大量的残余和硝基物的存在给后续提炼或精炼贵金属带来操作困难或失败，严重影响贵金属的提炼或精炼工艺顺利进行，严重影响贵金属回收率，故王水贵金属溶液的浓缩赶硝是紧随溶解其后的务必工序。