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陕西微光显微镜系统信息推荐「多图」爱情连连看陈果

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1分钟前 陕西微光显微镜系统信息推荐「多图」[苏州特斯特31ff5f9]内容:EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况;原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)动态式CMOS (Dynamic CMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Juncti)金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under metal)

侦测到亮点之情况;

会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面 反型层;5.硅导电通路等。

点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情 况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及 抛光处理。

同时利用光诱导的电阻,它的主要原理是利用激光电视,在恒定电压之下进行扫描,通过一部分能量转化为热能,可以关注它所发生的实际变化。这样在检测的过程当中,效率就会得到大幅度的提高。因此在检测芯片的过程当中,其实有很多比较重要的方法,客户可以去关注emmi检测和他的分析方式,目前国内关于芯片的检测机构并不是特别的成熟。

EMMI微光显微镜

微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs)Recombination会放出光子(Photon)。如在P-N结加偏压,此时N阱的电子很容易扩散到P阱,而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴(或N端的电子)做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面,微光显微镜可分析P-N接面漏电;P-N接面崩溃;饱和区晶体管的热电子;氧化层漏电生的光子激发;Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题.

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